InGaN／GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：clhsmith001

【摘要】

：

量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的

【作者】

：

李超荣吕威张泽

【机构】

：

中国科学院物理研究所

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

半导体材料铟镓氮/氮化镓量子阱超晶格结构应变弛豫临界厚度透射电子显微镜 X射线衍射

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量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要求.另外,含N的Ⅲ-V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究.

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