一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法

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【摘要】

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在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准

【作者】

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刘志农熊小义付玉霞张伟陈培毅钱佩信

【机构】

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清华大学微电子所

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2003年11期

【关键词】

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EFL 线性拟合 RIE工艺刻蚀四探针外延层厚度掺杂浓度测量 SiGe-HBT加工工艺双极性晶体管 EFL Linearly forming RIE

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在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度.现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点.本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点.

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