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延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管沟道宽度对延迟时间的具体影响,从而为后续高速集成电路基本单元的设计打下基础。
宽长比对CMOS反相器延迟时间影响的分析
【摘 要】
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延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管
【机 构】
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南京信息职业技术学院
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2019年17期
【基金项目】
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南京信息职业技术学院开放基金“高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究与设计(KF20160101)”资助
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