【摘 要】
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为了介半导体器件失效这一非常复杂的现象,作者评述了半导体器件不稳定性的机理。为此,在设计和制造过程中均保持器件最小的不稳定性,所叙述的基本概念,图.参考资料等都围绕
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为了介半导体器件失效这一非常复杂的现象,作者评述了半导体器件不稳定性的机理。为此,在设计和制造过程中均保持器件最小的不稳定性,所叙述的基本概念,图.参考资料等都围绕以下几点:SiO_2表面电荷引起的不稳定性;氧化物表面——横向电荷扩展电导;在SiO_2层内部的电荷引起的不稳
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