【摘 要】
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报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016
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报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒接触,聚酰亚胺介质为钝化膜,制成了InGaAs/AlGaAs赝配HEMT。其直流跨导为280mS/mm,在12GHz下,器件最小噪声系数为0.68dB,相关增益为7.0dB。
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