硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Mr_Law

【摘要】

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本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受

【作者】

：

颜永美

【机构】

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厦门大学物理系厦门361005

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年1期

【关键词】

：

硅金受主能级动态光伏统计法 SiliconGold AcceptorDynamic photovoltaic effectlow temperatures

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本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.

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