【摘 要】
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采用动电位扫描结合SEM和XRD等技术研究先进电子制造封装过程中Sb掺杂对64Sn-35Bi-1Ag钎焊料在3%（wt.）NaCl溶液中腐蚀和电化学迁移行为影响。结果显示：Sb掺杂前后腐蚀电流密度（Ic
【机 构】
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湖北第二师范学院化学与生命科学学院,华中科技大学材料科学与工程学院,华中科技大学机械科学与工程学院
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采用动电位扫描结合SEM和XRD等技术研究先进电子制造封装过程中Sb掺杂对64Sn-35Bi-1Ag钎焊料在3%（wt.）NaCl溶液中腐蚀和电化学迁移行为影响。结果显示：Sb掺杂前后腐蚀电流密度（Icorr）随着Sb含量增加而有较显著的变化。其中当Sb含量小于1%时,随着Sb含量增加,其腐蚀电流密度（Icorr）减小。当Sb含量大于1%时,其腐蚀电流密度（Icorr）随着Sb含量的增大而增大;不论掺杂多少量,Sb掺杂后,钎料的腐蚀速率显著的增大,说明Sb掺杂后64Sn-35Bi-1Ag更易被腐蚀。电化学
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