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与普通热阴极相比较,场致发射电子源利用高场强下的隧穿效应产生电子发射,不需要高温加热,有利于器件的小型化和集成化,在平板显示器、微波放大器和X射线管等电子器件中有很好的应用前景。在微波放大器、X射线管和离子推进器等电子器件中,通常要求较大的阴极发射面积(几平方毫米)和较大的发射电流(几十毫安)。现有的场致发射电子源,由于诸多因素的限制,其发射电流远不能达到器件的要求。本文深入探讨了影响场发射电流的因素,采用新的发射体结构,增强了发射体与基底的附着能力,有效地提高了场发射电子源的电流发射能力,从直径为1mm