基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：varylife

【摘要】

：

该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤

【作者】

：

刘娅马晋毅孙科张必壮罗方活徐阳蒋平英谭发曾许东辉田本朗

【机构】

：

电子科技大学材料与工程学院,中国电子科技集团公司第二十六研究所

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

2021年3期

【关键词】

：

薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型裸芯片覆膜插入损耗

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