【摘 要】
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随着对大功率、散热、抗干扰器件的要求越来越高,以GaN为代表的第三代半导体材料登上了舞台,它们共同的特点即是禁带宽度大,抗辐照能力强,热稳定性好、化学稳定性好,加上良好
【基金项目】
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吉林建筑大学大学生创新创业项目《GaN基器件场板长度对击穿电压的影响》资助
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随着对大功率、散热、抗干扰器件的要求越来越高,以GaN为代表的第三代半导体材料登上了舞台,它们共同的特点即是禁带宽度大,抗辐照能力强,热稳定性好、化学稳定性好,加上良好的散热性,使得第三代半导体在大功率及特殊环境下的应用前景十分广阔。一、GaN材料概论自然界中,我们将材料按其导电性能分为三类,分别是导体、半导体和绝缘体,与导体和绝缘体相比,半导体具有特殊的电学性质,其电阻率受材料自身纯度,外界温度,辐射等强烈影响,固体物理中的能带理认为导体中的电子未能填充满其所在整个允带,允带中的电子可以在外加电场的作用
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