【摘 要】
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国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射
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国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功放130W,峰值功放200W,在
Infineon, the world’s leading manufacturer of microwave semiconductor devices, has introduced a high-power 330W LDMOS that covers both TD-SCDMA bands with the device model PXAC203302FV. The device is suitable for 1880-2025MHz frequency band, can be used for base station multi-carrier RF power amplifier. PXAC203302FV asymmetric Push-Bull structure, carrier power amplifier 130W, peak power amplifier 200W, at
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