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建立在无限深势阱下的半导体纳米管物理模型，在偶极近似下，求出半导体纳米管的谱线吸收系数、强度和频率．以HgS为管层，CdS为内核和外壳的半导体纳米管为例，探讨了线度和电场对谱线吸收系数和强度以及频率的影响，结果表明：在相同线度下，不同能带不同能级间的量子跃迁发出谱线的频率和强度远大于同能带不同能级的情形，见到的谱线基本上是由不同能带不同能级跃迁时所发出；谱线的吸收系数和强度以及频率均随电场增大而增大；电场一定时，谱线的强度和吸收系数随线度增大而增大；谱线的吸收系数主要取决于电场和能级的跃迁情况，而与是否属