【摘 要】
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设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的
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设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的高要求,选用了二阶温度补偿电路.经过Hspice仿真表明:此基准电路具有良好的温度特性,5.0 V供电在233 K(-40℃)到398 K(125℃)变化时,基准输出波动范围为1.248 8～1.249 8V,温度系数为4.57×10-6/K;电路的PSRR在低频时为-77 dB;当电源电压从2.5V变化到5.0 V时,带隙基准的输入电压线性调整率为0.024％,最低工作电压为2.06 V,整体静态电流为28.39 μA.
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