在中高压、大容量电力电子变流系统中,大功率IGBT模块是变流器的核心器件,而驱动电路是影响IGBT模块及其组成的变流系统运行可靠性的关键因素。已有研究表明,对于IGBT模块的突发故障与老化失效,通过驱动电路进行状态监测与保护是目前能够对其实现故障诊断最快的方法。因此,该文提出一种基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路。首先,建立IGBT模块等效电路模型,分析模块内部寄生参数对饱和导通压降V
ce(sat)、短路电流I
sc、开通延迟时间t
don
目的 分析三七皂苷R1(NR1)对脑动脉硬化(CEA)模型大鼠血管内皮细胞(VEC)功能及p38MAPK信号通路的影响.方法 将60只SD雄性大鼠随机分为对照组、模型组、辛伐他汀组和NR1高、中
目的分别对小鼠和大鼠给予阿如日-4味丸后的急性毒性和亚急性毒性进行评价。方法在急性毒性研究中,将40只小鼠随机分为对照组和阿如日-4味丸组,每组20只,灌胃给药,分析小鼠的一般行为、体质量及摄食量。在亚急性毒性研究中,将80只大鼠随机分为阿如日-4味丸低、中、高剂量组(2.7、5.4、10.8 g·kg-1)及对照组,每组20只,连续28 d灌胃给药,分析小鼠的一般行为、体质量、摄食量、血清生化及血液学指标。结果在急性毒性研究中,小鼠给予阿如日-4味丸后未观察到明显毒性症状,与对照组
该文围绕同步整流型Boost拓扑效率提升这一关键问题展开研究。作为Boost变换器三种工作模式之一,临界导通模式(BCM)下的Boost变换器可以实现主功率开关的零电压开通或谷底开通以及续流管的零电流关断,有助于提升变换器效率。此外,采用同步整流技术可进一步减小传统续流二极管的导通损耗。该文从BCM下的参数设计出发,重点研究变换器的死区时间配置方法。该方法理论上减小了内部体二极管的导通损耗,在输出电流较大的情况下,有助于进一步提升变换器效率。此外,还总结Boost变换器的主要损耗计算方法。最后,利用GaN
碳化硅(SiC)MOSFET具有耐压高、开关速度快、导通损耗低等优点,将越来越广泛地应用于高效、高功率密度场合。在这些应用场合中,SiC MOSFET面临着严峻的可靠性考验,而结温的在线准确提取是实现器件寿命预测和可靠性评估的重要基础。该文提出一种基于功率模块内置负温度系数(NTC)温度传感器的器件结温在线提取方法。首先建立考虑多芯片热耦合效应的内置温度传感器至功率芯片的热网络模型,并建立SiC MOSFET的损耗快速计算方法;通过有限元仿真提取热网络模型的阻抗参数,并验证该热网络参数在不同边界条件下的稳
在以浮选法处理电解铝阴极碳素内衬后产生的废水中添加不同含铝和含钠化合物来合成冰晶石,考察了不同因素对氟离子去除的影响。得到最佳反应条件为:AlCl3与NaCl的物质的量比1∶3,pH 6,温度60 ℃。在此条件下,氟离子的去除效率最高,所获得的冰晶石最多。
为了提高交流异步电机在参数摄动和负载扰动下的位置跟踪控制性能,该文提出一种基于浸入与不变(I&I)理论的自适应控制方法。首先,通过构造非线性扩张状态观测器(NLESO)对系统的负载扰动进行动态观测,提高系统的跟踪控制精度;其次,基于I&I理论对系统的摄动参数设计自适应估计器,实现参数估计值渐近收敛到真实值;再次,基于I&I理论分别完成交流异步电机位置和磁链跟踪控制器的设计,实现对系统给定值的精确跟踪控制;最后,将该文所提方法与动态面控制(DSC)方法和I&I控制方法进行仿真
受动物毛发的触觉机理启发,该文采用磁敏材料Galfenol细丝设计一种仿生磁致伸缩触觉传感单元。基于逆磁致伸缩效应、线性压磁方程和材料力学原理建立传感单元的输出特性模型,根据模型参数对传感单元进行结构优化以降低空间体积。在COMSOL中搭建传感阵列模型,分析阵列中磁场干扰对输出结果的影响。对3×3传感阵列进行输出特性测试,并将其装载于机械手上进行抓取实验。在H=1.6kA/m的偏置磁场下,传感单元在0-3N作用力下传感阵列输出电压呈线性变化,灵敏度为14.52mV/N,响应时间为30ms;在2N作用力下传
变频电机的振动噪声是影响电驱动产品应用的重要因素。为更准确掌握变频电机振动噪声激励,设计低噪声变频电机,该文建立变频电机振动噪声特性的一种分析模型,从变频机理出发,推导正弦脉宽调制(SPWM)变频器的输出谐波,再根据麦克斯韦定律计算分析变频激励下电机气隙的电磁激励力特性,并基于有限元法建立电磁-固-声多场耦合仿真计算模型,最后通过对比实测电机的声功率总结出变频谐波对变频电机振动噪声特性的影响。分析结果表明,电机振动噪声在低频部分的谐波由电机的调制频率产生,而变频器引入的高频谐波会使电机在开关频率附近辐射大
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块在新能源汽车动力总成系统中应用广泛。高功率密度和极限工况运行的应用需求对IGBT模块的热可靠性设计提出严峻挑战。受芯片导通压降温变效应的影响,芯片表面电流密度呈现不均匀分布,导致传统的热建模方法无法准确地描述功率模块温度场分布,这给芯片过电流工况下的强健性评估带来困难。该文将功率模块连续域三维温度场模型与芯片有源区离散化一维电学模型进行联合,提出一种热-电场路耦合的功率模块三维温度场解析建模方法,实现片上温度场的准确描述,误差小于4.0%。进一步地,研究芯片的电流分布