电刺激小脑顶核对HIBD新生大鼠超微结构及突触素表达的影响

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目的探讨电刺激对缺氧缺血性脑损伤(HIBD)新生大鼠海马CA1区突触超微结构和突触素表达的影响。方法按Rice法制作HIBD新生SD大鼠模型,共计120只,随机分为电刺激组和模型组,同时设假手术对照组(简称对照组)60只。各组术后又按3、7、14、21d随机分为4组。电刺激组大鼠于术后第2d开始给予电刺激,刺激结束后用透射电镜(TEM)观察各组3、7、14、21d海马突触超微结构,免疫组化和图像分析技术检测p38的表达。结果与对照组比较模型组突触数量较少,突触间隙增宽,突触囊泡减少,电刺激组与同时间模型组比较突触间隙较清楚,突触囊泡较多,线粒体数量有所增加至第21d时突触超微结构与对照组相比无明显差异。电刺激组海马CA1区突触素校正光密度值(COD)3d与模型组相比有升高但无统计学意义(P>0.05),14、21d突触素COD值与模型组相比表达升高且具有统计学意义(P<0.05),且21d时与对照组相比表达升高且具有统计学意义(P<0.05)。结论电刺激可减轻缺氧缺血脑损伤后突触超微结构的损伤、促进突触的重建。 Objective To investigate the effect of electrical stimulation on synaptic ultrastructure and synaptophysin expression in hippocampal CA1 of neonatal rats with hypoxic-ischemic brain damage (HIBD). Methods According to the method of Rice, 120 HIBD neonatal SD rats were randomly divided into electrical stimulation group and model group, and 60 sham operation control group (control group) were randomly divided into two groups. Each group was randomly divided into 4 groups after 3,7,14,21 days. The rats in the electrical stimulation group were given electrical stimulation at the second day after the operation. After the stimulation, the ultrastructures of hippocampal synapses were observed by transmission electron microscope (TEM) at 3, 7, 14 and 21 days. The expression of p38 expression. Results Compared with the control group, the number of synapses in the model group was less, the synaptic gap widened and the number of synaptic vesicles decreased. The number of synaptic vesicles was more clear in the electrical stimulation group compared with the model group at the same time. The number of mitochondria There was no significant difference in synaptic ultrastructure between the 21th day and the control group. Compared with the model group, the corrected optical density (COD) 3d of hippocampal CA1 area in electrical stimulation group was increased but not statistically significant (P> 0.05). The COD values ​​of synaptophysin 14 and 21 days were higher than those in model group (P <0.05). Compared with the control group, the expression increased at 21 d and was statistically significant (P <0.05). Conclusion Electrical stimulation can reduce the damage of synaptic ultrastructure after hypoxic-ischemic brain damage and promote synaptic reconstruction.
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