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本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了增强因子.在温度为1050—1200℃范围内,本解析模型在计算快速热氧化(RTO)生长的氧化层厚度方面与测量结果基本一致.
硅线性升温快速热处理氧化动力学模型
【摘 要】
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本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了
【机 构】
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复旦大学电子工程系,UniversityofColoradoatColoradoSpringsU.s.A.上海200433
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年11期
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