用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜

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利用非平衡磁控溅射法,用一对石墨溅射靶,以N2,Ar为工作气体,在Si(1 0 0)衬底上溅射生长CNx薄膜.X光电子能谱分析表明薄膜中的C,N原子以sp3,sp2杂化电子轨道成键形成化合物.氮碳原子比比值为1.06,1.24,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在.X射线衍射谱显示薄膜中含有β-C3N4晶粒.实验证明,非平衡磁控溅射法是合成C3N4薄膜的有效方法.
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