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本文研究了PECVD氮化硅膜的性质与衬底温度的关系,对不同衬底温度的膜的折射率、腐蚀速率、介电特性进行了讨论;本文还指出,膜的导电机理符合Poole-Frenkel发射.C-V曲线的显著滞后效应表明,膜中存在高密度的陷阱。
衬底温度对PECVD氮化硅膜性质的影响
【摘 要】
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本文研究了PECVD氮化硅膜的性质与衬底温度的关系,对不同衬底温度的膜的折射率、腐蚀速率、介电特性进行了讨论;本文还指出,膜的导电机理符合Poole-Frenkel发射.C-V曲线的显
【出 处】
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浙江大学学报：理学版
【发表日期】
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1988年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助课题
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