Tracks Formation and Morphology in GaN Induced by Swift Heavy Ions

来源 :中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cashcumt

【摘要】

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GaN single crystals were irradiated by 129Xe and 209Bi ions in the range of 800~2300 MeV,respectively.The samples were studied by transmission and high-resoluti

【作者】

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Hu Peipei Liu Jie Zhai Pengfei

【机构】

：

不详

【出处】

：

中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版

【发表日期】

：

2019年1期

【关键词】

：

GAN process. SWIFT

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GaN single crystals were irradiated by 129Xe and 209Bi ions in the range of 800~2300 MeV,respectively.The samples were studied by transmission and high-resolution electron microscope and Raman spectroscopy to reveal the tracks and defects induced in the s

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