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报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射，20℃下阈值电流密度为3.8kA／cm2，外微分量子效率为9.3%．
GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength
【摘 要】
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报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射，20℃下阈值电流密度为3.8kA／cm2，外
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所 信息光学实验室信息光电子技术研究室，上海 201800
【出 处】
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城市道桥与防洪
【发表日期】
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2001年2期
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