论文部分内容阅读
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力,批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100000小时,主要技术指标达到目前进口同类产品水平,完全可以满足实用要求。