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采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdOX薄膜(HGO)。通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度。以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μsat)达16.8 cm2v-1s-1,开关电流比达1.5×107。基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9。结果表明,水溶液法制备的HGO