N型合金半导体的低温电子喇曼散射

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研究了n-Ga1-xAlxAs的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心物理起因。结果表明在n-Ga1-xAlxAs中存在施主双稳态特性,在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙n-Ga1-xAlxAs的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙m-Ga1-xAlxAs的低温持续光电导。当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的DX中心的深能态。
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