复合电铸制备Cu／SiCp复合材料的工艺

来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jay2048

【摘要】

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采用复合电铸工艺制备碳化硅颗粒(SiCp)增强铜基复合材料,重点研究了添加剂、颗粒粒径、电流密度、施镀温度、搅拌强度等工艺参数对Cu/SiCp复合材料中SiCp含量的影响.结果表

【作者】

：

朱建华刘磊胡国华沈彬胡文彬

【机构】

：

上海交通大学

【出处】

：

上海交通大学学报

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

复合电铸铜基碳化硅颗粒复合材料 Composite materialsCopperFabricationSilicon carbide

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(863计划)，上海市应用材料研究与发展基金

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采用复合电铸工艺制备碳化硅颗粒(SiCp)增强铜基复合材料,重点研究了添加剂、颗粒粒径、电流密度、施镀温度、搅拌强度等工艺参数对Cu/SiCp复合材料中SiCp含量的影响.结果表明,优化各工艺参数可有效促进SiCp与铜离子的共沉积,提高复合材料中增强固体颗粒的含量.在此基础上研究开发了一种可有效促进SiC颗粒与铜共沉积的混合添加剂,可获得SiCp含量较高的Cu/SiCp复合材料.

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