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对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究，给出了封装器件性能测试结果：在占空比２０％（２００μｓ，１０００Ｈｚ）时获得峰值功率大于４０Ｗ的激光输出，１００～１０００Ｈｚ重复频率下，输出激光中心波长为８０５～８０８ｎｍ，谱线宽度３．２～４．２ｎｍ，激光起伏小于１％。
高占空比,高功率线阵地这激光器封装技术
【摘 要】
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对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究，给出了封装器件性能测试结果：在占空比２０％（２００μｓ，１０００Ｈｚ）时获得峰值功率大于４０Ｗ的激光输出，１００～１０００Ｈｚ重复频率下，输出激光中心波长为８０５～８０８ｎｍ，谱线宽度３．２～４．２ｎｍ，激光起
【机 构】
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中物院应用电子学研究所,浙江大学光电信息工程学系光电子技术所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国防科技基础研究基金资助课题!( 0 0 3 0 2)
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