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集成无源器件(IPD)和穿硅通孔(TSV)技术是目前封装发展的一大趋势。为了实现高性能集成无源器件和硅转接板集成的目的,本文采取了设计两套不同的集成方案,对比研究的方法。方案结合了深槽电容,液态金属填充等先进技术,从集成方式、通孔制作、通孔填充、IPD类型等多方面进行对比,全面的研究IPD和TSV的集成方案。