切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
应用遗传算法实现NOS器件综合
应用遗传算法实现NOS器件综合
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shijipan
【摘 要】
:
研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响,对FIBMOS器件的综合设
【作 者】
:
谢晓锋
李钊
等
【机 构】
:
清华大学微电子学研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
遗传算法
MOS器件
半导体器件
device synthesis
parameterized device representation
genetic al
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响,对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性。
其他文献
建筑工程项目全过程造价控制与管理分析
建筑工程具有投资大、周期长、复杂性等特点,为了确保顺利开展,要做好造价管理工作,有利于实现资源优化配置,提高整体经济效益.先介绍基本内容,再从不同方面展开论述,对工程
期刊
建筑工程
全过程造价
控制与管理
LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力
报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构。视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等。利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测
期刊
硅镶嵌微结构
LPCVD
氮化硅
薄膜
SiNx film
nanosilicon microstructure
LPCVD
composite film
用固相外延方法制备Si1—x—yGexCy三元材料
分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难,固相外延生长是制备Si1-x-yGexCy的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择,通过实验系统地研究
期刊
Si1-x-yGexCy材料
固相外延
三元系
半导体材料
Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloys
SPER
Ⅱ级粉煤灰在高速公路工程C50及以上混凝土中的应用研究
针对云南地区配制C50及以上公路混凝土粉煤灰使用标准与地域性原材料供需的矛盾,进行Ⅰ、Ⅱ粉煤灰在C50、C55混凝土的工作性、力学性能和耐久性能研究。结果显示:与纯水泥混
期刊
粉煤灰
高性能混凝土
耐久性
施工组织设计对施工成本的影响分析
建筑工程施工组织设计方案对施工成本有着直接影响,以下通过分析施工组织对施工成本的影响,提出优化施工组织设计文件的对策,从而为降低建筑工程施工成本起到积极作用.
期刊
施工组织
施工成本
影响
Pt/TiO2二极管湿敏传感器
Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触。在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感。本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性质,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处
期刊
半导体湿敏器件
二极管
湿敏传感器
Atmospheric humidity
Platinum
Schottky barrier diodes
应用活血化瘀法治疗疑难杂病的体会
活血化瘀法,是中医最常用且卓有疗效的治法之一.在临床实践中,活血化瘀法往往要与其它治法复合应用.下面谈谈以活血化瘀法治疗疑难杂病的体会.
期刊
活血化瘀法
疑难杂病
瘀血证
老中医经验
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性,器件测试值
期刊
开关模型
宽带
三栅MESFET
砷化镓
单片电路
switch
model
broadband
triple gates MESFET
Si基热氧化Si1—x—yGexCy薄膜的室温光致发光特性
采用等离子体增强化学气相淀积(PECD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si、-x-7GexCy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min。在室温下观测到强烈的光致发光,室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示
期刊
薄膜
室温光致发光
SI基
SIGEC
Si_(1-x-y)Ge_xC_y thin film
wet oxidation
room|tempera
发光二极管外延片质量控制的新方法
介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法。通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意
期刊
发光二极管
外延片
质量控制
光致发光
无损检测
光电器件
epiwafer
photoluminescence
indestructible examinat
与本文相关的学术论文