【摘 要】
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分析了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ材料的制备比较困难，固相外延生长是制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择，通过实验系统地研究
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
【基金项目】
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国家自然科学重大基金资助项目!编号 698762 60&&
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分析了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ材料的制备比较困难，固相外延生长是制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择，通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系，指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高
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