提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

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研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性。
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