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文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展.概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算.重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算.
电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展
【摘 要】
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文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展.概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算.重点介绍了
【机 构】
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薄膜与微细技术教育部重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2005年4期
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