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采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在蓝宝石衬底α—Al2O3的（0001）面上低温生长了GaN薄膜。薄膜光致发光光谱（PL）出现两个发光带，一个是中心位置位于364nm的锐而强的带边峰。另一个是中心波长在550nm（2．2eV），范围在480-700nm的强而宽的黄光发光带。傅立叶红外光谱（FTIR）观察到GaN的A1（LO）的下沿峰和E1（TO）峰，说明这是六方结构的OaN薄膜。