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本文报道一种新开发的Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结极晶体管（ＨＢＴ），ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ，在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集奄极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ。
准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
【摘 要】
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本文报道一种新开发的Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结极晶体管（ＨＢＴ），ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ，在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集奄极转
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,香港科技大学电机与电子工程系,电子部十三所,台湾交通大学毫微米元件实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年10期
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