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在单晶Si（100）基体上，采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜。X射线衍射（XRD）分析表明薄膜呈明显的非晶结构；用XPS分析了薄膜中的碳键结构，碳膜的Cls峰位于284～285eV之间，Cls峰分峰拟合得出sp2C的原子数分数为59％左右，碳键以sp2结构为主；四探针法测得薄膜的电阻率为1．32×10^-6Ω·m。可以认为：制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜。