Microsemi发布新一代超高效NPT IGBT

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhe0731

【摘要】

：

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司（MicrosemiCorporation）推出新一代1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）IGBT系列中的首款产品。

【出处】

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中国集成电路

【发表日期】

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2012年6期

【关键词】

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IGBT NPT 超高效技术产品竞争解决方案功率管理非穿通型供应商

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致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司（MicrosemiCorporation）推出新一代1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端PowerMOS8^TM技术，与竞争解决方案相比，

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