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隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序。从隔离介质结构层次的选取入手，通过理论分析，选取SiO2-Si3N4两层介质为最佳隔离介质结构；着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究。通过实验对比分析，确定芯片的隔离介质淀积工艺条件，从而避免光刻胶、腐蚀液等物质残留在芯片内部，提高双层金属布线的可靠性。