文章研究了在ＧａＡｓ工艺、双层金属布线、基于门阵的宏元胞模式下，采用时间驱动算法布局设计（ＴｉｍｉｎｇＤｒｉｖｅｎＰｌａｃｅｍｅｎｔ）的布线算法。算法以芯片性能得到最大限度的改......

分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力......

隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序。从隔离介质结构层次的选取入手，通过理论分析，选取SiO2-Si3N4两层介质......