【摘 要】
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介绍了一种新的发光二极管(LED)芯片的检测方法及应用。该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京市辐射中心,
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介绍了一种新的发光二极管(LED)芯片的检测方法及应用。该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点,在半导体照明最感兴趣的398~780 nm波长范围内,波长测量的重复精度及分辨率优于1 nm。据此方法,对红、绿、蓝、紫四种LED芯片发光的波长及辐射强度进行了实际测量,对红绿蓝三基色发光二极管合成白光的偏色进行了检测,并与光纤光谱仪测量得到的结果进行了比较。
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