【摘 要】
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氮化铝材料具有较高的热导率和良好的介电性能,机械强度高,热膨胀系数与半导体硅材料相近,非常适于制造大功率或快速半导体器件的散热基片和封装材料.本文采用游离磨料加工方
【机 构】
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浙江工业大学浙西分校,浙江工业大学精密工程研究室
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氮化铝材料具有较高的热导率和良好的介电性能,机械强度高,热膨胀系数与半导体硅材料相近,非常适于制造大功率或快速半导体器件的散热基片和封装材料.本文采用游离磨料加工方法对氮化铝基片表面进行了研磨、抛光,讨论了不同加工参数对试件表面粗糙度和材料去除率的影响.采用表面粗糙度仪和厚度仪分别对超精密加工后AIN基片的表面粗糙度及去除厚度进行了测量.实验结果表明,在本实验条件下可以获得表面粗糙度Ra为8nm的超光滑表面.实验还采用XJZ-5型电子显微镜对加工过程中AIN的表面结构进行了观察,分析了不同超精密加工阶段的材料去除机理,同时发现晶粒间孔隙会降低AIN基片的可加工性能.
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