【摘 要】
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本文给出了在某些具有厚SiO_2层(如场氧化层)的MOS结构中因辐照产生界面态的证据,其机理不同于以前在较薄的抗辐照加固栅氧化层中确认的那种低速两步过程。由新过程产生的界
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本文给出了在某些具有厚SiO_2层(如场氧化层)的MOS结构中因辐照产生界面态的证据,其机理不同于以前在较薄的抗辐照加固栅氧化层中确认的那种低速两步过程。由新过程产生的界面态在辐照后迅速产生,与氧化物电场和极性无关,在室温和77K下的产生率大致相等。
This article presents evidence of the interface state due to irradiation in some MOS structures with thick SiO 2 layers (eg, field oxide layers) that differ from those previously identified in the thinner anti-radiation reinforced gate oxide Low-speed two-step process. The interface states generated by the new process are rapidly generated after irradiation, regardless of the electric field and polarity of the oxide, and are approximately equal at room temperature and at 77K.
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