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凌力尔特公司(LInear Technologycorporation)推出100%占空比双路输出降压型开关稳压器Dc/Dc控制器LT3742该器件产生高达30V的输出电压,应用包括步进马达、工业控制,汽车、分布式电源和电信系统。LT3742还能够以一侧配置成降压型稳压器 而另一侧配置成超大电容器充电器(电流源),用于电容值高达几法拉的电容器在需要较长保持时间或需要大峰值电流的机器人应用中,这是个有用的特点。
LT3742的100%占空比允许输出电压非常接近输入电压,适用于电池供电系统。4V~30V输入电压范围允许用很多中间总线电压工作。纳入简单的降压型Dc/DC转换器以产生自己的栅极驱动电压,而且无需额外的器件以驱动高端M0sFET。内置栅极驱动器为每一路输出的单个外部N沟道MOsFET供电,实现了高达5A的输出电流。具有电流模式控制的恒定500kHz工作频率提供了快速瞬态响应和容易的补偿。通过监视检测电阻上的压降精确测量输出电流,并在过载和短路情况下保护转换器。另外,LT3742具有可调软启动,以控制每路输出的电压斜坡上升时间和电源良好信号。
LT3742采用4mm×4mm QFN-24封装。
LT3742性能概要:
双路,180℃反相降压型Dc/DC控制器
输入电压范围为4V~30V
100%占空比
0.8V~30V的宽输出电压范围
电流模式控制
内置N沟道MOsFE_驱动器
固定5cOkHz工作频率
可编程软启动
可配置为超大电容器充电器(电流源)
两路输出都有电源良好信号
安森美半导体推出用于电信,网络和消费应用的PUreEdge高性能时钟产生器件
安森美半导体(0N semlconductor)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列,推出N83N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。
NB3N3002和NB3N5573是3.3V时钟产生器。生成频率可在2.5MH z、100MHz,125MHz和200MHz之间选择的主时钟信令等级(HcsL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于Pcl Exp ress、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(F8DlMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比PureEdgeTM架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。
NB3N3002生成一组差动HcsL输出时钟+NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的0.25μm cMOs技术相位噪声性能大幅超越竞争器件,可与昂贵的表面声波(sAw)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25MHz晶体生成的高质量时钟具有4种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100kHz载波频率偏移处NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。
与安森美半导体所有的PureEdge器件相似,这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算,并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC,如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造,故能降低总体系统成本,并大幅缩短产品上市时间。NB3N5573与功能相竞争的器件Ics557-03引脚兼容,能够替代这器件。在没有采用扩频功能下,NB3N5573提供更佳的抖动性能,使其在不需要同步状态信息(ssM)下更发挥价值。
NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm×4.4 mm无铅TssOP-16封装。
LT3742的100%占空比允许输出电压非常接近输入电压,适用于电池供电系统。4V~30V输入电压范围允许用很多中间总线电压工作。纳入简单的降压型Dc/DC转换器以产生自己的栅极驱动电压,而且无需额外的器件以驱动高端M0sFET。内置栅极驱动器为每一路输出的单个外部N沟道MOsFET供电,实现了高达5A的输出电流。具有电流模式控制的恒定500kHz工作频率提供了快速瞬态响应和容易的补偿。通过监视检测电阻上的压降精确测量输出电流,并在过载和短路情况下保护转换器。另外,LT3742具有可调软启动,以控制每路输出的电压斜坡上升时间和电源良好信号。
LT3742采用4mm×4mm QFN-24封装。
LT3742性能概要:
双路,180℃反相降压型Dc/DC控制器
输入电压范围为4V~30V
100%占空比
0.8V~30V的宽输出电压范围
电流模式控制
内置N沟道MOsFE_驱动器
固定5cOkHz工作频率
可编程软启动
可配置为超大电容器充电器(电流源)
两路输出都有电源良好信号
安森美半导体推出用于电信,网络和消费应用的PUreEdge高性能时钟产生器件
安森美半导体(0N semlconductor)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列,推出N83N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。
NB3N3002和NB3N5573是3.3V时钟产生器。生成频率可在2.5MH z、100MHz,125MHz和200MHz之间选择的主时钟信令等级(HcsL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于Pcl Exp ress、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(F8DlMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比PureEdgeTM架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。
NB3N3002生成一组差动HcsL输出时钟+NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的0.25μm cMOs技术相位噪声性能大幅超越竞争器件,可与昂贵的表面声波(sAw)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25MHz晶体生成的高质量时钟具有4种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100kHz载波频率偏移处NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。
与安森美半导体所有的PureEdge器件相似,这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算,并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC,如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造,故能降低总体系统成本,并大幅缩短产品上市时间。NB3N5573与功能相竞争的器件Ics557-03引脚兼容,能够替代这器件。在没有采用扩频功能下,NB3N5573提供更佳的抖动性能,使其在不需要同步状态信息(ssM)下更发挥价值。
NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm×4.4 mm无铅TssOP-16封装。