【摘 要】
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几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390
【机 构】
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中国科学院结构分析重点实验室,中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，安徽省自然科学基金
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几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应.但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm.当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生.因此,从ZnO/Si异质
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