【摘 要】
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采用低浓度硅烷,低生长速率,在PECVD系统中制得高掺杂氢化非晶硅(N~+α-Si:H)薄膜,其电导率高达5～36Ω~(-1)cm~(-1)。应用该技术制成了新型二维电子气Si/N~+α-Si∶H异质结双
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采用低浓度硅烷,低生长速率,在PECVD系统中制得高掺杂氢化非晶硅(N~+α-Si:H)薄膜,其电导率高达5～36Ω~(-1)cm~(-1)。应用该技术制成了新型二维电子气Si/N~+α-Si∶H异质结双极型晶体管,在硅微波功率异质结双极型晶体管研制上取得重大突破。
Using low concentration silane and low growth rate, highly doped hydrogenated amorphous silicon (N ~ + α-Si: H) thin films were prepared in PECVD system with conductivity of 5 ~ 36Ω ~ (-1) cm ~ 1). A new type of two-dimensional electron gas Si / N ~ + α-Si:H heterojunction bipolar transistor has been made by using this technique, making a major breakthrough in the development of silicon microwave power heterojunction bipolar transistor.
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