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研究了GdVO4：Eu3+在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上(300～600K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0的发射强度随温度的升高而显著增强，直到600K也未见饱和。其中5D07F2的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu3+的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中，先激发到Eu3+本身的5DJ(J=1，2，3…)激发态，然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS)，温度升高时传递几率显著增强，并按5D3，5D2，5D1依次使被激发的电子转