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一种CMOS工艺低电压带隙基准源

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：juanzi0666

【摘 要】

：

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃

【作 者】

：

石颖伟 韩良 王科 

【机 构】

：

哈尔滨工业大学（威海）微电子中心,哈尔滨工业大学微电子中心

【出 处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

带隙基准源 非线性补偿 温度系数 bandgap reference  non-linear compensation  temperature coeffic 

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基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.

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