论文部分内容阅读
训蝌蚪
【出 处】
:
发明与创新(学生版)
【发表日期】
:
2008年7期
其他文献
在考虑到杂质的不完全离化作用时,建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300~600K温度范围表面弱电
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0.5μm标准GaA sPHEMT工艺实现的10Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿
案例情况:中国丝绸博物馆基本陈列改造工程.建筑面积4700平方米,使用资金432万元,平均每平方米920元.
首先分析了1:4分接器的树型结构及其主要特点。在此基础上,进一步探讨了树型结构中所用的1:2分接器,并给出其中的锁存器电路结构。此外,还讨论了分频器电路及输入输出电路。最后分