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研究了用Ni进行金属诱导横向晶化（MILC）制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化，改进了MILC的结构，通过在坦层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区，减少了大量粒多晶硅中的缺陷分布；同时在前人的基础上优化了退火温度及时间，用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布，最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅，其大小在70－80μm左右。同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法，成功地去除了高温退火后生成的NiSi2，大大减小Ni在多晶硅层中的分布，保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中。