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利用ＡＣＲＴ－ＶＢＭ法生长Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价，为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型，Ｈａｌｌ电......
窄禁带，含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅳ族化合物半导体 体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数，本文从腐蚀机理出发，了ＨｇＭｎＴｅ的......
根据加压改进布里奇曼法，采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe（组分x≈0.20）晶体。采用加压技术，平衡部分石英安......
