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介观LC电路不可避免会处于辐射场中,把辐射场看成是由无穷多谐振子组成的,选择介观LC电路为研究对象。本文从介观LC电路与辐射场相互作用的哈密顿量出发,把辐射场看成库,通过对库求迹,推导了介观LC电路在辐射场作用下的密度方程。
介观LC电路在辐射场作用下约化密度方程的推导
【摘 要】
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介观LC电路不可避免会处于辐射场中,把辐射场看成是由无穷多谐振子组成的,选择介观LC电路为研究对象。本文从介观LC电路与辐射场相互作用的哈密顿量出发,把辐射场看成库,通过
【机 构】
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泉州师范学院物理与信息工程学院
【出 处】
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应用物理
【发表日期】
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2013年9期
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