中科院微电子所22纳米CMOS工艺研发取得突破

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【摘要】

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近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高Ⅺ金属栅模块的22纳米

【出处】

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自动化信息

【发表日期】

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2013年1期

【关键词】

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中科院微电子所 22nm CMOS工艺

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近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高Ⅺ金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能表现良好。22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金力争抢占技术制高点：Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；

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