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采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪及荧光分光光度计研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,当工作气压恒定时,合适的氧分压能够提高ZnO薄膜的结晶质量。对样品进行光致发光测量时,所制备ZnO薄膜样品在400 nm左右出现较强紫光发射,在446 nm出现蓝光发射,经分析认为紫光发射来源于激子复合,而446 nm左右的蓝光发射来源于ZnO薄膜内部的Zni缺陷。